Samsungs Foundry-Sparte läutet als erster Chipfertiger die 3-Nanometer-Generation ein. Die ersten Silizium-Wafer mit 3-nm-Strukturen hat die Firma bereits belichtet, die Produktion läuft jetzt an. Dabei führt Samsung tiefgehende Änderungen beim Aufbau der Transistoren ein.
Anstelle finnenförmiger Feldeffekttransistoren (FinFETs) gibt es „Gate All Around“-(GAA-)Technik,
