IBM und Samsung haben gemeinsam ein neues Transistordesign vorgestellt, das in einigen Jahren die elektrische Charakteristik von Prozessoren, Grafikchips und anderen Halbleiterbauelementen erheblich verbessern könnte. Der sogenannte Vertical-Transport (Nanosheet) Field Effect Transistor, kurz VTFET, leitet Ströme nicht mehr seitlich durch ein Schaltelement, sondern vertikal.
Laut Ankündigung hebelt die Herangehensweise des VTFET Limitierungen der Feldeffektransistoren (FET) mit finnenförmiger Gate-Elektrode (FinFET) aus,
